Биографическая справка
Геннадий Красников — ученый в области физики полупроводников, диэлектриков, гетероструктур и полупроводниковых приборов. Автор и соавтор более 460 научных работ в отечественных и зарубежных рецензируемых изданиях, восьми научных монографий и более 50 авторских свидетельств и патентов.
Академиком Красниковым выполнен цикл теоретических и экспериментальных исследований структурно-примесных комплексов и переноса заряда в системе Si-SiO2. Он внес существенный вклад в исследования по выявлению закономерностей поведения фоновых примесей на границах раздела системы «металл — оксид кремния — кремний», энергии локализации ловушек для электронов и дырок в функциональных слоях полупроводниковых структур. Им впервые с позиции единой научной концепции, основанной на анализе структурно-примесных дефектов системы Si-SiO2, дана классификация различных дефектов, образующихся в этой системе в процессе ее формирования, выявлены закономерности неравновесных процессов в переходных областях границ раздела гетерогенных областей систем «кремний — диоксид кремния — металл», рассмотрены электрические свойства этих структур и предложены методы их стабилизации на заданном уровне.
Исследования, проведенные под руководством Красникова, способствовали развитию российских микроэлектронных технологий, в частности, сверхбольших интегральных схем и сложных полупроводниковых структур с управляемыми и стабильными электрофизическими параметрами.
Существенный вклад академик Красников внес в исследования радиационно-стойкой электронной компонентной базы для бортовой радиоэлектронной аппаратуры ракетно-космической техники. Разработанные им большие интегральные схемы внедряются в бортовую радиоэлектронную аппаратуру нового поколения ракетно-космической техники. В них используется технология «кремний на изоляторе», существенно повышающая стойкость бортовой аппаратуры к радиации.
Академик Красников является руководителем приоритетного технологического направления России «Электронные технологии».
Председатель научного совета РАН «Квантовые технологии».
Председатель научного совета РАН «Фундаментальные проблемы элементной базы информационно-вычислительных и управляющих систем и материалов для ее создания».
Заведующий кафедрой «Микро- и наноэлектроника» Физтех-школы электроники, фотоники и молекулярной физики в Национальном исследовательском университете МФТИ.