ВГУ получит 100 млн рублей на создание лаборатории нитрид-галлиевой и кремниевой электроники
Воронежский госуниверситет выиграл грант облправительства в 100 млн руб. на создание лаборатории нитрид-галлиевой и кремниевой электроники. Она будет открыта совместно с местным Научно-исследовательским институтом полупроводникового машиностроения (АО «НИИЭТ»), который вложит в реализацию проекта еще 15 млн руб. Об этом сообщила пресс-служба вуза.
Фото: Олег Харсеев, Коммерсантъ
По данным пресс-службы ВГУ, работа лаборатории поможет АО увеличить мощность производства до 10 млн микросхем и нитрид-галлиевых транзисторов в год, даст производителям и конструкторам электронной аппаратуры возможность создавать базовые станции сотовой связи 5G и 6G — в перспективе, а также — системы обнаружения и распознавания объектов (лидары) и приложения для автономного электротранспорта.
«Разработанные технологии можно будет использовать в портативных устройствах для медицины, роботах, БПЛА и дронах, системах безопасности, военной и аэрокосмической отрасли. Создание лаборатории будет способствовать обеспечению внутреннего рынка российской электронной продукцией на 70% к 2030 году. Условиями участия в конкурсе также было софинансирование со стороны индустриального партнера и вуза»,— рассказали в пресс-службе ВГУ, не раскрывая объем вложений со своей стороны.
На базе лаборатории также будут реализованы образовательные программы подготовки специалистов и повышения квалификации кадров для предприятий микроэлектронной промышленности региона. «У сотрудников НИИЭТ, а также у других предприятий микроэлектронной промышленности Воронежской области появится возможность на практике сформировать профессиональные компетенции в области отдельных технологических операций, разработки собственной топологии, конструирования, а также стресс-тестов изделий электронной компонентной базы»,— рассказали в пресс-службе университета.
«Эпоха кремниевой электроники подходит к концу — ее развитие достигло своего предела. Кремний уступает место новому "материалу будущего" — полупроводнику под названием нитрид галлия (GaN). Почему GaN? Ответ на этот вопрос весьма прост — меньше, быстрее, дешевле и лучше. Стартапы работают над развитием этой технологии — не исключено, что уже в 2030-м человечество полностью выйдет из кремниевой эры и войдет в эру нитрида галлия»,— считает руководитель лаборатории, заведующий кафедрой физики твердого тела и наноструктур физфака ВГУ Павел Середин.
Летом 2020 года облправительство сообщало о создании в регионе центра технологических компетенций для предприятий радиоэлектронного кластера. Анонсировалось, что в него смогут войти вузы, способные решать «кадровые и научные задачи развития электронной промышленности». В целом проект был нацелен на формирование единого вектора развития отрасли.
В июле 2023 года министр промышленности и торговли РФ Денис Мантуров заявил о договоренности с губернатором Александром Гусевым о создании в регионе кластера радиоэлектроники.