Многослойная память требует минимум энергии
Группа исследователей из России и Франции во главе с Никола Терселеном и Владимиром Преображенским разработала материал, который значительно сократит энергозатраты при записи и считывании информации,— магнитоэлектрическое запоминающее устройство с произвольным доступом (magnetoelectric random access memory, MELRAM). По данным ученых, запись или считывание 1 бита информации будет требовать 1 аттоджоуля энергии, что в разы меньше нынешней энергопотребности запоминающих устройств.
Фото: Marcin Bajer / Flickr