Обнаружена причина утери оптоэлектронных свойств у двумерного селенида галлия
Коллектив ученых из России, Германии и Венесуэлы под руководством профессора кафедры лазерной и световой техники Томского политехнического университета Р. Родригеса обнаружил причину того, почему один из самых перспективных материалов для оптоэлектроники – 2D-селенид галлия – нестабилен, и как этого можно избежать. Работа опубликована в сентябрьском номере журнала Semiconductor Science and Technology.
Фото: Wikipedia